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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]肖特基二极管-CN201320751871.8有效
  • 郭广兴;刘宪成;梁厅;丁伯继 - 杭州士兰集成电路有限公司
  • 2013-11-25 - 2014-06-04 - H01L29/872
  • 本实用新型揭示了一种肖特基二极管，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽本实用新型的肖特基二极管能够降低所述肖特基二极管正向压降，并能提高所述肖特基二极管的抗静电能力，提高所述肖特基二极管的性能。
  • 肖特基二极管
  • [发明专利]肖特基二极管-CN201010246093.8有效
  • 洪崇祐;胡智闵;陈永初;龚正 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2010-08-03 - 2012-02-08 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种肖特基二极管，包括一欧姆层当作阴极，一金属层当作阳极，一漂流通道由半导体材料形成并在欧姆层和金属层间延伸。此漂流通道包括一重掺杂区域邻接欧姆接触层。漂流通道与金属层形成一肖特基势垒。当肖特基二极管逆向偏压时，夹止机制用于夹止漂流通道。因此，在肖特基二极管的逆向偏压条件下，金属层和欧姆接触层之间的饱和或漏电流程度被减少。
  • 肖特基二极管
  • [实用新型]肖特基二极管-CN201220133084.2有效
  • 斯特凡·斯塔罗韦茨基;奥尔加·克雷姆帕斯卡;马丁·普雷德梅尔斯基 - 赛米控电子股份有限公司
  • 2012-03-31 - 2012-11-21 - H01L29/872
  • 本申请涉及一种肖特基二极管(2)，其具有第一主面(4)和第二主面(6)及边缘面(8)，其中各个主面(4，6)同时构成相应的第一和第二电接触表面，所述肖特基二极管具有层式构造，层式构造由具有第一高掺杂物浓度的半导体基体(10)、相同导电性和较低掺杂物浓度的半导体层(12)、与半导体层构成肖特基接触(200)的第一金属层(20)、由连接介质(30)制成的层和在此上与第二金属层(22)连接的平面接触体(32)组成，并且所述肖特基二极管具有其边缘面(8)的钝化层(60)，该钝化层至少覆盖边缘面(8)的那个在所述肖特基接触(200)周围的区段。
  • 肖特基二极管
  • [实用新型]肖特基二极管-CN202020634011.6有效
  • 刘彦涛;孟鹤;邢文超;杨硕;杨旭;魏春雨;吕飞;王斌;姜舫;宋美丽 - 吉林华微电子股份有限公司
  • 2020-04-24 - 2020-09-29 - H01L29/872
  • 本申请实施例提供一种肖特基二极管，涉及半导体器件制造领域。在本实施例中，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽相互咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽，即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。
  • 肖特基二极管
  • [实用新型]肖特基二极管-CN202022128792.4有效
  • 倪炜江 - 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）
  • 2020-09-24 - 2021-05-18 - H01L29/872
  • 本实用新型公开了一种肖特基二极管，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层；漂移区，漂移区位于缓冲层的一侧；第二外延层，第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，重掺杂区位于沟槽的底部；结型场效应区，结型场效应区位于相邻的两个重掺杂区之间；第一金属层，第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触，与第二外延层形成肖特基接触；第一电极和第二电极。由此，通过第一金属层与第二外延层形成肖特基接触，与现有技术相比，能够使肖特基接触处具有更小的电场强度和更低的反偏泄漏电流，同时大的肖特基接触面积可以提升肖特基二极管的正向导通特性，通过第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触能够具有比较好的浪涌和雪崩能力
  • 肖特基二极管
  • [发明专利]肖特基二极管-CN201880089100.2在审
  • 费拉·阿珂哈利尔;理查德·普赖斯;布莱恩·科布 - 务实印刷有限公司
  • 2018-12-11 - 2020-09-22 - H01L29/872
  • 一种肖特基二极管包括：第一电极；第二电极；以及半导体材料主体，其在第一界面处连接到第一电极，在第二界面处连接到第二电极，其中第一界面包括位于第一平面中的第一平面区域，并且第一电极具有沿垂直于第一平面的第一方向在第一平面上的第一投影，第二界面包括位于第二平面中的第二平面区域，并且第二电极具有沿所述第一方向在第一平面上的第二投影，第二投影的至少一部分位于第一投影的外部，所述第二平面区域沿所述第一方向偏离第一平面区域，并且第一界面和第二界面中的一个提供肖特基接触
  • 肖特基二极管
  • [发明专利]肖特基二极管-CN202011017839.8在审
  • 马诺耶·梅赫罗特拉 - 德州仪器公司
  • 2020-09-24 - 2021-04-09 - H01L21/329
  • 本申请案的实施例涉及肖特基二极管。一种方法包含在半导体衬底(110)中形成第一沟槽和第二沟槽(112、122)。所述方法另外包含用多晶硅(116、126)填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。肖特基触点(142)形成于所述半导体衬底(110)上所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)之间。所述方法还包含形成用于所述肖特基触点(142)的阳极电极(150)。所述阳极电极(150)耦合到所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)中的多晶硅(116、126)。
  • 肖特基二极管
  • [发明专利]肖特基二极管-CN202310962661.1在审
  • 黄大海 - 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
  • 2023-08-01 - 2023-10-13 - H01L29/872
  • 本发明揭示了一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括P型衬底、位于P型衬底内的N型阱区、位于N型阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区之间通过第一隔离结构电气隔离，所述第一掺杂区旁侧的N型阱区上形成有第一肖特基金属层，所述第一肖特基金属层与第一掺杂区通过第二隔离结构电气隔离。本发明通过第二隔离结构断开肖特基结和PN结的连接，并对PN结进行限流或阻断，从而减小了衬底注入电流。
  • 肖特基二极管
  • [发明专利]肖特基二极管-CN202211170574.4有效
  • 刘丹 - 晶通半导体（深圳）有限公司
  • 2022-09-26 - 2023-03-28 - H01L29/872
  • 本发明的实施例公开了一种肖特基二极管，属于半导体技术领域。本发明保护一种肖特基二极管，包括：衬底和依次形成于所述衬底上的第一沟道层和第一势垒层；刻蚀所述第一势垒层至所述第一沟道层的内部形成缺口，所述缺口具有底面和一个侧壁，所述底面为所述第一沟道层；在所述第一势垒层上、所述侧壁和所述底面上形成第二沟道层；分别刻蚀所述第二沟道层形成第一凹槽和第二凹槽，在所述第一凹槽内填充形成阴极，在所述第二凹槽内填充形成阳极。本发明通过设置第二沟道层，使被刻蚀的第一沟道层的表面填充了第二沟道层，修补了晶格缺陷，减小了刻蚀对第一沟道层的影响，减少了界面态，减小了阴极到阳极的漏电电流。
  • 肖特基二极管
  • [发明专利]肖特基二极管-CN201210509046.7无效
  • 王飞 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2012-11-23 - 2013-04-10 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种肖特基二极管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延中的深沟槽，深沟槽中具有二氧化硅层，深沟槽中的二氧化硅层内侧具有多晶硅区，在深沟槽之间的N型外延上方具有肖特基接触区，肖特基接触区上具有金属层，其中，所述二氧化硅层的厚度大于1000埃，多晶硅区与所述金属层通过金属线连接。本发明的肖特基二极管，在深沟槽中填充的二氧化硅层厚度大于1000埃时能耐受80V以上的高压。
  • 肖特基二极管
  • [实用新型]肖特基二极管-CN201320467664.X有效
  • 倪炜江 - 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
  • 2013-08-01 - 2013-12-18 - H01L29/872
  • 本实用新型涉及一种肖特基二极管。该肖特基二极管包括：第一电极层，位于所述第一电极层上的第一导电类型的半导体衬底，位于所述半导体衬底上的第一导电类型的半导体外延层，形成在所述外延层中的多个密排的第二导电类型的圆形掺杂区，以及形成在所述外延层上且与所述掺杂区接触的第二电极层该多个第二导电类型的圆形掺杂区的布置使得，在反向偏置电压下，由所述掺杂区形成的耗尽区覆盖外延层的整个表面。
  • 肖特基二极管
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